Read-only memory with field effect transistors having variable conductance value channels

Festwertspeicher mit Feldeffekttransistoren deren Kanäle veränderliche Leitfähigkeiten aufweisen

Mémoire permanente avec transistors à effet de champ comportant des canaux à conductances variables

Abstract

Une memoire fixe comprend un ensemble de transistors a effet de champ (111, 112..., mk). Chaque transistor a effet de champ possede une largeur de canal selectionne parmi 2n largeurs possibles (n > 1) pour obtenir une des 2n tensions de sortie possibles lors de la detection. La tension de sortie est applique a un groupe deux 2n-1 amplificateurs de detection, chacun de ces amplificateurs etant active de maniere selective a un niveau parmi les 2n-1 niveaux de tension intermediaire entre deux valeurs adjacentes des 2n tensions de sortie. Les sorties des amplificateurs de detection agissent sur un circuit logique (104) produisant n sorties binaires, dont l'une peut etre selectionnee par un decodeur (105).
A read-only memory includes an array of field effect transistors (111, 112, ..., mk). Each field effect transistor has a channel width selected from 2n possible widths (n > 1) to provide one of 2n possible output voltages upon sensing. The output voltage is applied to a set of 2n - 1 sense amplifiers, each of which is selectively activated at a separate one of 2n - 1 voltage levels intermediate two adjacent values of the 2n output voltages. The sense amplifier outputs drive a logic circuit (104) providing n binary outputs, one of which may be selected by a decoder (105).

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